芯片的3D堆疊，IBM和東京電子公布新方法

       IBM Research 和 Tokyo Electron (TEL) 合作實現了 3D 芯片制造的新突破，該突破使用一種新穎的方法來保持摩爾定律的運行。一份新聞聲明顯示，兩家公司合作開展了一項芯片制造創新，該創新簡化了使用 3D 芯片堆疊技術生產晶圓的過程。他們宣布，他們成功實施了用于生產 3D 芯片堆疊技術的 300 毫米硅芯片晶圓的新工藝。這是世界上第一個采用該技術的 300 毫米級示例。

       新的芯片堆疊工藝使用硅不可見的激光

      芯片堆疊通常需要硅層之間的垂直連接，稱為硅通孔 (TSV)。這些層通常非常薄，厚度小于 100 微米。在生產過程中，這些芯片中的每一個都連接到載體硅片上，該載體硅片通常由玻璃制成，臨時粘合到硅上。處理完晶圓后，使用紫外激光將玻璃載體從硅中移除。IBM 和 TEL 的新工藝使用一個 300 毫米的模塊和一個紅外激光來執行剝離工藝。這個過程對硅是透明的，這意味著它允許使用標準硅片而不是玻璃硅片作為載體。這意味著晶片可以粘合到其他硅片上，這意味著制造過程中不再需要玻璃載體。

       IBM和TEL旨在緩解全球芯片短缺

       新方法背后的研究人員認為，它可以幫助緩解全球芯片行業的壓力�！半S著全球芯片短缺的持續，”IBM 的聲明中寫道，“我們可能需要新的方法來增加未來幾年的芯片產能。我們希望我們的工作將有助于減少半導體供應鏈中所需的產品數量，同時還有助于推動未來幾年的處理能力改進�！�

       IBM Research 自 2018 年以來一直與 TEL 合作開發這一新工藝，該公司表示，在制造過程中與不同晶圓對相關的缺陷和工藝問題也應該會減少。接下來，合作伙伴的目標是進一步測試他們的 beta 系統，以展示如何在供應鏈中實施它。

       全球芯片短缺是由于需求旺盛和 Covid 造成的工廠中斷造成的。但即使在大流行之前，計算機芯片行業就已經感受到了壓力。摩爾定律指出，微芯片上的晶體管數量每年將翻一番，但由于硅的物理限制而放慢了速度。專家說 ，晶體管正在接近它在保持功能的同時盡可能小的程度，導致一些人為摩爾定律敲響了喪鐘。作為參考，IBM Research 的最小芯片節點為 2 納米寬。 

      芯片堆疊通常僅用于高端操作，例如高帶寬存儲器的生產。但是，它有可能擴大特定體積中的晶體管數量。摩爾定律傳統上側重于面積而不是體積，這意味著新的突破允許通過對 1965 年著名觀察的不同解釋來延續摩爾定律。它可能還沒有死。