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                捷報!江蘇鵬舉半導體躋身中國創新創業大賽總決賽

                捷報!江蘇鵬舉半導體躋身中國創新創業大賽總決賽

                12月24日,第十屆中國創新創業大賽新一代信息技術全國賽迎來巔峰對決。來自南通創新區的企業——江蘇鵬舉半導體設備技術有限公司經過激烈比拼,成功晉級第十屆中國創新創業大賽總決賽,入選第十屆中國創新創業大賽“創新創業50強”。

                據悉,中國創新創業大賽由科技部、財政部、教育部、中央網信辦和全國工商聯共同指導舉辦,是我國規格最高、規模最大、覆蓋最廣的雙創賽事。自2012年以來,已連續舉辦十屆,累計參賽企業和團隊超過24萬家。在集聚各種創新要素,推動科技成果轉化和科技創新創業等方面發揮了重要作用,成為推動我國科技創新創業的重要抓手和經濟發展新動能的培育平臺。許多參賽或獲獎企業已經IPO上市,成為行業的翹楚。

                鵬舉半導體項目自2021年參加“通創薈”南通科技大賽以來,從1039家創業團隊和企業中突圍獲得一等獎,順利入圍第九屆“創業江蘇”省大賽行業賽;9月中上旬,與來自全省13個地方賽區推薦的569個創業項目同臺競技,一路過關斬將,成功晉級國賽。鵬舉半導體組件裝備國產化項目的高價值,體現在能夠解決國內半導體企業及IC新工藝需求的痛點。通過自主可控的技術,填補國內空白,幫助客戶迅速實現國產化,提高國產化率,降低產品成本。

                據鵬舉半導體項目負責人介紹,此次躋身全國總決賽,并入選“創新創業50強”,含金量非常高。第十屆中國創新創業大賽全國37個賽區共有33289家企業報名參賽,經過地區初賽約1500家優秀企業最終入圍全國賽。其中,第十屆中國創新創業大賽新一代信息技術全國賽共有429家企業入圍。江蘇賽區從第九屆“創業江蘇”科技創業大賽新一代信息技術行業賽中遴選出23家企業參加此次全國賽,僅2家企業晉級總決賽,鵬舉半導體以小組第一的成績沖破層層突圍,順利拿到總決賽的入場券,展示出南通創新區落戶企業在創新創業方面的高水平和新特色。

                20年12月,南通市人民政府與江蘇省產業技術研究院達成全面戰略合作協議,“鵬舉半導體裝備組件”項目是首個落地南通的重大項目。該項目致力于半導體裝備關鍵組件與系統技術的研發、轉化和應用,公司主要產品為離子源、原子層刻蝕組件及系統,核心團隊在電子材料與半導體器件領域具有豐富的產業經驗。南通創新區以科創引領為己任,對區內企業予以全鏈條“保姆式”服務,營造良好的創新生態。

                鵬舉半導體項目負責人表示,在紫瑯湖畔干事創業獲得感滿滿,深刻感受到創新區人才集聚、創新創業的濃厚氛圍,企業與園區雙向奔赴、互相成就,今后將繼續以科技創新賦能高質量發展,推動南通新一代信息技術產業強勢崛起。

                2023-01-04
                發光學報 | 利用原子層沉積技術實現有機電致發光器件的薄膜封裝

                發光學報 | 利用原子層沉積技術實現有機電致發光器件的薄膜封裝

                有機電致發光器件(Organic light emitting diode,OLED)具有輕薄、便于攜帶、自發光、能耗低、亮度更大、柔性顯示等特點,可以增加顯示產品的附加值。然而,OLED器件中的有機材料對空氣中的水汽和氧氣十分敏感,若器件在無封裝保護的情況下長期在空氣中存放,將會嚴重影響OLED的工作性能和壽命,所以對器件進行可靠的封裝是一種有效手段。目前,原子層沉積(Atomic layer deposition,ALD)的薄膜因擁有良好的機械柔性、超高的阻隔性能和光學透過率而被科學界和產業界廣泛關注。
                近日,長春電子科技學院姜文龍教授團隊與吉林大學段羽教授團隊合作在《發光學報》發表了題為“利用原子層沉積技術實現有機電致發光器件的薄膜封裝”的綜述文章。
                重點探究了前驅體原料、摻雜比率、沉積溫度、ALD脈沖時間和吹掃時間對薄膜沉積性能的影響以及薄膜厚度和封裝性能之間的關系;分析了ALD制備薄膜的水汽透過率;比較了ALD在單層、有機-無機疊層薄膜封裝(Thin-film encapsulation,TFE)制備的技術優勢;展望了利用ALD技術實現有機電致發光器件薄膜封裝的產業化前景。

                  1、引言  

                目前,OLED已在顯示屏制造領域實現了產業化,在智能手機的帶動下,OLED市場呈現了快速發展的勢頭。但是,OLED技術仍有很多科學和技術問題亟待解決,空氣中的水汽和氧氣會破壞有機材料和金屬電極,嚴重影響器件的工作穩定性。外部封裝技術要求在對內部結構性能影響最少的情況下提供對器件的保護,同時能夠連接內外部供電、進行散熱冷卻等,并且滿足一定的機械性能需求。
                ALD因其制備的薄膜致密、均勻、在低溫下可精確控制薄膜厚度的特點,在薄膜封裝領域有巨大的應用潛力。ALD沉積具體過程分為兩種:化學吸附自限制過程和順次反應自限制過程。


                圖1:(a)化學吸附自限制過程 ;(b)順次反應自限制過程

                  2、ALD單層無機薄膜封裝  

                ALD常見的薄膜材料有Al?O?、TiO?、MgO、SiO?等,其中Al?O?由于其優異的水汽阻隔性能和良好的光學透過率成為研究最多的材料。
                不同氧化劑前驅體生長薄膜有不同的水汽阻隔性能。O?基ALD制備的Al?O?薄膜擁有更好的致密性和表面均勻性,多個研究團隊均實驗得出了基于O?的ALD工藝優于基于H?O的ALD工藝的結論,而交替通入O?和H?O這兩種不同氧源將得到致密性最高的薄膜。